CSD17551Q3A-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低导通损耗， 提升整体能效。 适用于电源管理、电机控制、电池供电设备及各类开关模式电源等应用场合。 N沟道结构便于实现高效的开关操作， 在紧凑型电路设计中可有效支持热性能与功率密度的优化。