CSD17510Q5A-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
CSD17510Q5A-HXY
该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为4.3毫欧， 栅源电压额定值达20V。 其较低的RDS(ON)有助于在高电流应用中减少功率损耗并提升整体效率。 器件适用于对热管理和能效有较高要求的电源系统， 可稳定运行于频繁开关或持续大电流的工作环境中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
97
货期
现货
CSD17510Q5A-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
CSD17510Q5A-HXY概述
该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为4.3毫欧， 栅源电压额定值达20V。 其较低的RDS(ON)有助于在高电流应用中减少功率损耗并提升整体效率。 器件适用于对热管理和能效有较高要求的电源系统， 可稳定运行于频繁开关或持续大电流的工作环境中。
CSD17510Q5A-HXY特性
暂无产品特性。
CSD17510Q5A-HXY应用领域
暂无应用领域。