CSD17309Q3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4mΩ。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统能效。 适用于高电流负载场景， 如电源转换模块、便携式设备供电系统及高性能计算平台中的电源管理单元。 其电气特性支持快速开关操作， 在高频工作条件下仍可维持较低的热应力与稳定性能。