CSD17307Q5A-HXY

CSD17307Q5A N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装， 实现紧凑尺寸与高效散热的完美平衡。 该器件参数优越支持30V的最大漏源电压(VDSS)， 能够提供稳定的50A连续电流， 得益于6.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 确保了高能效转换和降低功耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动等大电流领域， 是提升系统性能和节能方案的理想半导体器件。