CSD16411Q3-HXY

CSD16411Q3 N沟道MOS管， 采用先进的DFN3X3-8L封装工艺， 小巧轻便， 适用于高密度电路设计。 具备30V的耐压等级（VDSS）和高达60A的连续漏极电流（ID）， 确保卓越的电力处理能力。 其导通电阻仅为6mΩ（RD(on)）， 有效降低功耗， 提升系统能效。 此款MOS管是您在高频开关电源、电机驱动等应用中的理想选择。