CSD16403Q5A-MS
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
CSD16403Q5A-MS
此款CSD16403Q5A-MS是一款N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装, 以其紧凑尺寸实现高性能集成。 该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS), 能承载高达150A的连续漏极电流, 确保在高电压大电流应用中的稳定运行。 其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ, 助力降低功耗、提升整体能效, 广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合, 是实现高效、节能电路设计的理想选择。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
253
货期
现货
CSD16403Q5A-MS参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 253 |
CSD16403Q5A-MS概述
此款CSD16403Q5A-MS是一款N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装, 以其紧凑尺寸实现高性能集成。 该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS), 能承载高达150A的连续漏极电流, 确保在高电压大电流应用中的稳定运行。 其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ, 助力降低功耗、提升整体能效, 广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合, 是实现高效、节能电路设计的理想选择。
CSD16403Q5A-MS特性
暂无产品特性。
CSD16403Q5A-MS应用领域
暂无应用领域。
