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CSD16403Q5A-MS
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

CSD16403Q5A-MS

此款CSD16403Q5A-MS是一款N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装, 以其紧凑尺寸实现高性能集成。 该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS), 能承载高达150A的连续漏极电流, 确保在高电压大电流应用中的稳定运行。 其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ, 助力降低功耗、提升整体能效, 广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合, 是实现高效、节能电路设计的理想选择。

品牌

MSKSEMI

封装

DFN-8L(5x6)

库存

253

货期

现货

CSD16403Q5A-MS参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存253

CSD16403Q5A-MS概述

此款CSD16403Q5A-MS是一款N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装, 以其紧凑尺寸实现高性能集成。 该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS), 能承载高达150A的连续漏极电流, 确保在高电压大电流应用中的稳定运行。 其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ, 助力降低功耗、提升整体能效, 广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合, 是实现高效、节能电路设计的理想选择。

CSD16403Q5A-MS特性

暂无产品特性。

CSD16403Q5A-MS应用领域

暂无应用领域。

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