CSD16403Q5A-HXY

CSD16403Q5A N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装， 以其紧凑尺寸实现高性能集成。 该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)， 能承载高达150A的连续漏极电流， 确保在高电压大电流应用中的稳定运行。 其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ， 助力降低功耗、提升整体能效， 广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合， 是实现高效、节能电路设计的理想选择。