CSD16327Q3-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
CSD16327Q3-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 20V； 100A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1V； 是一款采用Trench技术的单N型MOSFET， 适用于多种电子领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
库存
10
货期
现货
CSD16327Q3-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
CSD16327Q3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 20V； 100A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1V； 是一款采用Trench技术的单N型MOSFET， 适用于多种电子领域和模块。
CSD16327Q3-VB特性
暂无产品特性。
CSD16327Q3-VB应用领域
暂无应用领域。