CSD16323Q3-VB
自营可供
IC
DFN3x3-8
CSD16323Q3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高性能、高可靠性的电子系统， 如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 30V； 60A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=0.5~1.5V
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
交期
现货
批次
—
CSD16323Q3-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:60A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V； 5mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 6nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 406pF |
| 商品型号 | CSD16323Q3-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000214 |
CSD16323Q3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高性能、高可靠性的电子系统， 如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 30V； 60A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=0.5~1.5V
CSD16323Q3-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
CSD16323Q3-VB应用领域
- 电机控制
- 负载开关
- 或门(ORing)