CSD16321Q5-MS
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
CSD16321Q5-MS
此款CSD16321Q5-MS是一款N沟道MOS管采用先进DFN5X6-8L封装技术， 体积精巧， 性能强大。 此器件承载电压高达30V， 最大连续漏极电流可达150A， 确保在高压大电流环境下稳定运行。 其优异的导通电阻仅有2mΩ， 有助于降低功耗、提升系统效能， 特别适合应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合， 是您实现高效节能电路设计的理想伙伴。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
317
货期
现货
CSD16321Q5-MS参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 317 |
CSD16321Q5-MS概述
此款CSD16321Q5-MS是一款N沟道MOS管采用先进DFN5X6-8L封装技术， 体积精巧， 性能强大。 此器件承载电压高达30V， 最大连续漏极电流可达150A， 确保在高压大电流环境下稳定运行。 其优异的导通电阻仅有2mΩ， 有助于降低功耗、提升系统效能， 特别适合应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合， 是您实现高效节能电路设计的理想伙伴。
CSD16321Q5-MS特性
暂无产品特性。
CSD16321Q5-MS应用领域
暂无应用领域。