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CSD13381F4
IC

PicoStar-3

可供量大可议

CSD13381F4

场效应管(MOSFET) 500mW 12V 2.1A 1个N沟道

品牌

TI

封装

PicoStar-3

库存

14,940

货期

现货

CSD13381F4参数

封装PicoStar-3
品牌TI(德州仪器)
批次21+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))400mΩ@1.8V
阈值电压(Vgs(th))1.1V
输入电容(Ciss)200pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)62pF
分类场效应管(MOSFET)
库存14,940
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)12V
耗散功率(Pd)500mW
栅极电荷量(Qg)1.4nC@4.5V
反向传输电容(Crss)3.3pF
类型N沟道

CSD13381F4概述

场效应管(MOSFET) 500mW 12V 2.1A 1个N沟道

CSD13381F4特性

暂无产品特性。

CSD13381F4应用领域

暂无应用领域。

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