CSD13306W
IC
DSBGA-6
可供量大可议
CSD13306W
CSD13306W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌
TI
封装
DSBGA-6
库存
5
货期
现货
CSD13306W参数
| 封装 | DSBGA-6 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
CSD13306W概述
CSD13306W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD13306W特性
暂无产品特性。
CSD13306W应用领域
暂无应用领域。