CSD13302W
IC
DSBGA-4
可供量大可议
CSD13302W
CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌
TI
封装
DSBGA-4
库存
150
货期
现货
CSD13302W参数
| 封装 | DSBGA-4 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 150 |
CSD13302W概述
CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD13302W特性
暂无产品特性。
CSD13302W应用领域
暂无应用领域。