CSD06060G-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
CSD06060G-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为10A, 最大反向重复电压VR为650V, 正向压降VF典型值为1.3V, 反向漏电流IR为50μA。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效电能转换系统。 凭借碳化硅材料的特性, 其在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的电气性能与较低的能量损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
25
货期
现货
CSD06060G-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
CSD06060G-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为10A, 最大反向重复电压VR为650V, 正向压降VF典型值为1.3V, 反向漏电流IR为50μA。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效电能转换系统。 凭借碳化硅材料的特性, 其在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的电气性能与较低的能量损耗。
CSD06060G-HXY特性
暂无产品特性。
CSD06060G-HXY应用领域
暂无应用领域。
