库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
CSD06060G-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

CSD06060G-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为10A, 最大反向重复电压VR为650V, 正向压降VF典型值为1.3V, 反向漏电流IR为50μA。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效电能转换系统。 凭借碳化硅材料的特性, 其在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的电气性能与较低的能量损耗。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

25

货期

现货

CSD06060G-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

CSD06060G-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为10A, 最大反向重复电压VR为650V, 正向压降VF典型值为1.3V, 反向漏电流IR为50μA。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效电能转换系统。 凭借碳化硅材料的特性, 其在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的电气性能与较低的能量损耗。

CSD06060G-HXY特性

暂无产品特性。

CSD06060G-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件