CSD06060A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
CSD06060A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA, 展现出良好的导通特性和反向阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 适用于高频整流、开关电源及高效电能转换等应用场景, 在提升系统效率的同时有助于简化热管理设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
45
货期
现货
CSD06060A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
CSD06060A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA, 展现出良好的导通特性和反向阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 适用于高频整流、开关电源及高效电能转换等应用场景, 在提升系统效率的同时有助于简化热管理设计。
CSD06060A-HXY特性
暂无产品特性。
CSD06060A-HXY应用领域
暂无应用领域。
