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CSD06060A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

CSD06060A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA, 展现出良好的导通特性和反向阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 适用于高频整流、开关电源及高效电能转换等应用场景, 在提升系统效率的同时有助于简化热管理设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

45

货期

现货

CSD06060A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存45

CSD06060A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA, 展现出良好的导通特性和反向阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 适用于高频整流、开关电源及高效电能转换等应用场景, 在提升系统效率的同时有助于简化热管理设计。

CSD06060A-HXY特性

暂无产品特性。

CSD06060A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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