CSD01060E-TR-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
CSD01060E-TR-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 可承受高达36A的非重复浪涌正向电流。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗, 适用于高频整流、开关电源以及功率因数校正等电路, 在提升能效的同时有助于优化整体热设计。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
26
货期
现货
CSD01060E-TR-HXYParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 26 |
CSD01060E-TR-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 可承受高达36A的非重复浪涌正向电流。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗, 适用于高频整流、开关电源以及功率因数校正等电路, 在提升能效的同时有助于优化整体热设计。
CSD01060E-TR-HXY特性
暂无产品特性。
CSD01060E-TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
