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CSD01060E-TR-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

CSD01060E-TR-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 可承受高达36A的非重复浪涌正向电流。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗, 适用于高频整流、开关电源以及功率因数校正等电路, 在提升能效的同时有助于优化整体热设计。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-252-2L

Stock

26

货期

现货

CSD01060E-TR-HXYParameters

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存26

CSD01060E-TR-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.4V, 可承受高达36A的非重复浪涌正向电流。 基于碳化硅材料的特性, 器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗, 适用于高频整流、开关电源以及功率因数校正等电路, 在提升能效的同时有助于优化整体热设计。

CSD01060E-TR-HXY特性

暂无产品特性。

CSD01060E-TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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