CS70N30ANR
IC
TO-3P
可供量大可议
CS70N30ANR
CS70N30 ANR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 3P (N)， 符合RoHS标准
品牌
CRMICRO
封装
TO-3P
库存
663
货期
现货
CS70N30ANR参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | CRMICRO(华润微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 663 |
CS70N30ANR概述
CS70N30 ANR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 3P (N)， 符合RoHS标准
CS70N30ANR特性
暂无产品特性。
CS70N30ANR应用领域
暂无应用领域。