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CS60N20A8R
IC

TO-220AB

可供量大可议

CS60N20A8R

CS60N20 A8R是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET), 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 这款晶体管可应用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高的效率。 其封装形式为TO - 220AB, 符合RoHS标准

品牌

CRMICRO

封装

TO-220AB

库存

1,077

货期

现货

CS60N20A8R参数

封装TO-220AB
品牌CRMICRO(华润微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1077

CS60N20A8R概述

CS60N20 A8R是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET), 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 这款晶体管可应用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高的效率。 其封装形式为TO - 220AB, 符合RoHS标准

CS60N20A8R特性

暂无产品特性。

CS60N20A8R应用领域

暂无应用领域。

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