CS4N80A4HD-G
IC
TO-252
可供量大可议
CS4N80A4HD-G
CS4N80 A4HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）， 该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 252， 符合RoHS标准
品牌
华润华晶
封装
TO-252
库存
1,365
货期
现货
CS4N80A4HD-G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | 华润华晶 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1365 |
CS4N80A4HD-G概述
CS4N80 A4HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）， 该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 252， 符合RoHS标准
CS4N80A4HD-G特性
暂无产品特性。
CS4N80A4HD-G应用领域
暂无应用领域。