CS4N80A3HD-G
IC
TO-251
可供量大可议
CS4N80A3HD-G
CS4N80 A3HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 251， 符合RoHS标准
品牌
华润华晶
封装
TO-251
库存
1
货期
现货
CS4N80A3HD-G参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | 华润华晶 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
CS4N80A3HD-G概述
CS4N80 A3HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 251， 符合RoHS标准
CS4N80A3HD-G特性
暂无产品特性。
CS4N80A3HD-G应用领域
暂无应用领域。