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CS4N70FA9R
IC

TO-220F

可供量大可议

CS4N70FA9R

CS4N70F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET), 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 220F, 符合RoHS标准

品牌

华润华晶

封装

TO-220F

库存

21

货期

现货

CS4N70FA9R参数

封装TO-220F
品牌华润华晶
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存21

CS4N70FA9R概述

CS4N70F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET), 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 220F, 符合RoHS标准

CS4N70FA9R特性

暂无产品特性。

CS4N70FA9R应用领域

暂无应用领域。

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