CS4N60A4R

硅N沟道增强型VDMOSFET， 通过自对准平面技术获得， 可降低传导损耗， 改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 封装形式为TO-252， 符合RoHS标准。