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CS3N150AHR
IC

TO-3PH

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CS3N150AHR

CS3N150 AHR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET), 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 3P(H), 符合RoHS标准

品牌

CRMICRO

封装

TO-3PH

库存

2,516

货期

现货

CS3N150AHR参数

封装TO-3PH
品牌CRMICRO(华润微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2516

CS3N150AHR概述

CS3N150 AHR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET), 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 3P(H), 符合RoHS标准

CS3N150AHR特性

暂无产品特性。

CS3N150AHR应用领域

暂无应用领域。

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