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CS3N120FA9R
IC

TO-220F

可供量大可议

CS3N120FA9R

CS3N120F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管, 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高的效率。 其封装形式为TO - 220F, 符合RoHS标准

品牌

CRMICRO

封装

TO-220F

库存

5,980

货期

现货

CS3N120FA9R参数

封装TO-220F
品牌CRMICRO(华润微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5980

CS3N120FA9R概述

CS3N120F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管, 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高的效率。 其封装形式为TO - 220F, 符合RoHS标准

CS3N120FA9R特性

暂无产品特性。

CS3N120FA9R应用领域

暂无应用领域。

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