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CS25N50ANR
IC

TO-3P

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CS25N50ANR

CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET), 采用自对准平面技术制造, 可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 3P(N), 符合RoHS标准

品牌

CRMICRO

封装

TO-3P

库存

637

货期

现货

CS25N50ANR参数

封装TO-3P
品牌CRMICRO(华润微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存637

CS25N50ANR概述

CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET), 采用自对准平面技术制造, 可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 3P(N), 符合RoHS标准

CS25N50ANR特性

暂无产品特性。

CS25N50ANR应用领域

暂无应用领域。

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