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CS2201-33X
IC

DFN-10L(2.6x2.6)

可供量大可议

CS2201-33X

CS2201-33是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列, 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 CS2201-33的典型电容仅为3.8pF, 专为保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响而设计。 它符合IEC 61000-4-2(ESD)4级(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变-EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000-4-5(浪涌)(25A、8/20μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 CS2201-33采用DFN2.6x2.6-10L封装。 每个CS2201-33器件可保护两对高速线路。 低电容和高ESD耐受性的综合特性使CS2201-33非常适合高速数据端口和高频线路(如千兆以太网端口)应用。 CS2201-33的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。

品牌

晶扬电子

封装

DFN-10L(2.6x2.6)

库存

2,985

货期

现货

CS2201-33X参数

封装DFN-10L(2.6x2.6)
品牌晶扬电子
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2985

CS2201-33X概述

CS2201-33是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列, 旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 CS2201-33的典型电容仅为3.8pF, 专为保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响而设计。 它符合IEC 61000-4-2(ESD)4级(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000-4-4(电气快速瞬变-EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000-4-5(浪涌)(25A、8/20μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。 CS2201-33采用DFN2.6x2.6-10L封装。 每个CS2201-33器件可保护两对高速线路。 低电容和高ESD耐受性的综合特性使CS2201-33非常适合高速数据端口和高频线路(如千兆以太网端口)应用。 CS2201-33的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。

CS2201-33X特性

暂无产品特性。

CS2201-33X应用领域

暂无应用领域。

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