CS18N20A8R
IC
TO-220AB
可供量大可议
CS18N20A8R
CS18N20 A8R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 220AB， 符合RoHS标准
品牌
CRMICRO
封装
TO-220AB
库存
885
货期
现货
CS18N20A8R参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | CRMICRO(华润微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 885 |
CS18N20A8R概述
CS18N20 A8R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 220AB， 符合RoHS标准
CS18N20A8R特性
暂无产品特性。
CS18N20A8R应用领域
暂无应用领域。