CS12N06AE-G
IC
SOP-8
可供量大可议
CS12N06AE-G
CS12N06 AE - G是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）， 它运用高密度沟槽技术， 降低了导通损耗， 改善了开关性能， 并增强了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为SOP - 8， 符合RoHS标准
品牌
华润华晶
封装
SOP-8
库存
1
货期
现货
CS12N06AE-G参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | 华润华晶 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
CS12N06AE-G概述
CS12N06 AE - G是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）， 它运用高密度沟槽技术， 降低了导通损耗， 改善了开关性能， 并增强了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为SOP - 8， 符合RoHS标准
CS12N06AE-G特性
暂无产品特性。
CS12N06AE-G应用领域
暂无应用领域。