CRY68(TE85L, Q, M)
IC
S-FLAT
可供量大可议
CRY68(TE85L, Q, M)
是浪涌吸收器， 平均功率耗散 P = 0.7W， 齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V， 由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”， 适合紧凑组装。
品牌
TOSHIBA
封装
S-FLAT
库存
95
货期
现货
CRY68(TE85L, Q, M)参数
| 封装 | S-FLAT |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 95 |
CRY68(TE85L, Q, M)概述
是浪涌吸收器， 平均功率耗散 P = 0.7W， 齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V， 由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”， 适合紧凑组装。
CRY68(TE85L, Q, M)特性
暂无产品特性。
CRY68(TE85L, Q, M)应用领域
暂无应用领域。