CRY62(TE85L,Q,M)
自营可供
IC
S-FLAT
CRY62(TE85L,Q,M)
是浪涌吸收器， 平均功率耗散 P = 0.7W， 齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V， 由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”， 适合紧凑组装。
品牌
TOSHIBA
封装
S-FLAT
交期
现货
批次
—
CRY62(TE85L,Q,M)参数
| 封装 | S-FLAT |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 稳压值(标称值) | 6.2V |
| 稳压值(范围值) | 5.6V~6.8V |
| 阻抗(Zzt) | 60Ω |
| 商品名称 | 耐压:6.2V 电流:10uA@3.0V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 稳压二极管 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2695 |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 反向电流(Ir) | 10uA@3V |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 工作结温范围 | -40℃~+150℃ |
| 商品型号 | CRY62(TE85L, Q, M) |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.2667e-05 |
CRY62(TE85L,Q,M)概述
是浪涌吸收器， 平均功率耗散 P = 0.7W， 齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V， 由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”， 适合紧凑组装。