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CRSS043N14N
IC

TO-263-2

可供量大可议

CRSS043N14N

1个N沟道 耐压:135V 电流:160A

品牌

CRMICRO

封装

TO-263-2

库存

928

货期

现货

CRSS043N14N参数

封装TO-263-2
品牌CRMICRO(华润微)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)135V
耗散功率(Pd)250W
栅极电荷量(Qg)139.3nC
反向传输电容(Crss)35pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号CRSS043N14N
单位个
商品重量0.001
分类场效应管(MOSFET)
库存928
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.2mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)10.371nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)892.7pF
商品名称1个N沟道 耐压:135V 电流:160A
包装方式盒装
商品类型场效应管(MOSFET)

CRSS043N14N概述

1个N沟道 耐压:135V 电流:160A

CRSS043N14N特性

  • 采用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 出色的Qg × RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 符合JEDEC标准

CRSS043N14N应用领域

  • 电机控制与驱动
  • 电池管理
  • 不间断电源(UPS)

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