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CRSS037N10N
IC

TO-263

可供量大可议

CRSS037N10N

N沟道

品牌

CRMICRO

封装

TO-263

库存

26,647

货期

现货

CRSS037N10N参数

封装TO-263
品牌CRMICRO(华润微)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)227W
栅极电荷量(Qg)117nC
反向传输电容(Crss)33.4pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
分类场效应管(MOSFET)
库存26647
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.7mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)6.92nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)1.026nF

CRSS037N10N概述

场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道

CRSS037N10N特性

暂无产品特性。

CRSS037N10N应用领域

暂无应用领域。

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