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CR7N65A4K
IC

TO-252

可供量大可议

CR7N65A4K

CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管。 该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。 这款晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高效率

品牌

CRMICRO

封装

TO-252

库存

1,380

货期

现货

CR7N65A4K参数

封装TO-252
品牌CRMICRO(华润微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1380

CR7N65A4K概述

CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管。 该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。 这款晶体管可用于各种功率开关电路, 以实现系统小型化和更高效率

CR7N65A4K特性

暂无产品特性。

CR7N65A4K应用领域

暂无应用领域。

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