CPH3448-TL-W-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
CPH3448-TL-W-HXY
这款N沟道场效应管专为高效电源切换而设计, 其核心优势在于33mΩ的极低导通电阻。 在5A负载电流下, 它能将导通损耗与器件温升控制在极低水平, 从而简化散热设计。 30V的漏源击穿电压则为电路提供了充裕的安全裕度, 确保在12V或24V等常见总线电压应用中稳定运行。 得益于其电压驱动特性, 栅极驱动电路设计简洁, 使其成为便携式设备电源管理、电机调速及LED恒流驱动等场景的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
90
货期
现货
CPH3448-TL-W-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
CPH3448-TL-W-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效电源切换而设计, 其核心优势在于33mΩ的极低导通电阻。 在5A负载电流下, 它能将导通损耗与器件温升控制在极低水平, 从而简化散热设计。 30V的漏源击穿电压则为电路提供了充裕的安全裕度, 确保在12V或24V等常见总线电压应用中稳定运行。 得益于其电压驱动特性, 栅极驱动电路设计简洁, 使其成为便携式设备电源管理、电机调速及LED恒流驱动等场景的理想选择。
CPH3448-TL-W-HXY特性
暂无产品特性。
CPH3448-TL-W-HXY应用领域
暂无应用领域。
