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CPH3448-TL-H-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

CPH3448-TL-H-HXY

这款N沟道场效应管专为中低压电源管理设计, 具备30V的漏源击穿电压与5A的连续负载能力。 其33mΩ的低导通电阻特性, 使其在导通时能有效降低功率损耗与温升, 非常契合对能效有要求的电路设计。 该器件广泛应用于各类便携式设备的电源路径管理、锂电池组的充放电保护开关, 以及各类小型电机与LED照明驱动电路中, 作为高效、可靠的功率控制核心。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

70

货期

现货

CPH3448-TL-H-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存70

CPH3448-TL-H-HXY概述

这款N沟道场效应管专为中低压电源管理设计, 具备30V的漏源击穿电压与5A的连续负载能力。 其33mΩ的低导通电阻特性, 使其在导通时能有效降低功率损耗与温升, 非常契合对能效有要求的电路设计。 该器件广泛应用于各类便携式设备的电源路径管理、锂电池组的充放电保护开关, 以及各类小型电机与LED照明驱动电路中, 作为高效、可靠的功率控制核心。

CPH3448-TL-H-HXY特性

暂无产品特性。

CPH3448-TL-H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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