CPH3448-TL-H-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
CPH3448-TL-H-HXY
这款N沟道场效应管专为中低压电源管理设计, 具备30V的漏源击穿电压与5A的连续负载能力。 其33mΩ的低导通电阻特性, 使其在导通时能有效降低功率损耗与温升, 非常契合对能效有要求的电路设计。 该器件广泛应用于各类便携式设备的电源路径管理、锂电池组的充放电保护开关, 以及各类小型电机与LED照明驱动电路中, 作为高效、可靠的功率控制核心。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
70
货期
现货
CPH3448-TL-H-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
CPH3448-TL-H-HXY概述
这款N沟道场效应管专为中低压电源管理设计, 具备30V的漏源击穿电压与5A的连续负载能力。 其33mΩ的低导通电阻特性, 使其在导通时能有效降低功率损耗与温升, 非常契合对能效有要求的电路设计。 该器件广泛应用于各类便携式设备的电源路径管理、锂电池组的充放电保护开关, 以及各类小型电机与LED照明驱动电路中, 作为高效、可靠的功率控制核心。
CPH3448-TL-H-HXY特性
暂无产品特性。
CPH3448-TL-H-HXY应用领域
暂无应用领域。
