CPH3116-TL-E
IC
CPH-3
可供量大可议
CPH3116-TL-E
特性：采用MBIT工艺。 大电流容量。 低集电极-发射极饱和电压。 高速开关。 超小封装， 便于终端产品小型化（安装高度：0.9mm）。 高允许功耗。 应用：继电器驱动。 灯驱动
品牌
onsemi
封装
CPH-3
库存
1,356
货期
现货
CPH3116-TL-E参数
| 封装 | CPH-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1356 |
CPH3116-TL-E概述
特性：采用MBIT工艺。 大电流容量。 低集电极-发射极饱和电压。 高速开关。 超小封装， 便于终端产品小型化（安装高度：0.9mm）。 高允许功耗。 应用：继电器驱动。 灯驱动
CPH3116-TL-E特性
暂无产品特性。
CPH3116-TL-E应用领域
暂无应用领域。