CPC3909CTR
IC
SOT-89
可供量大可议
CPC3909CTR
是N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）， 有SOT-223和SOT-89两种封装。 采用专有第三代垂直DMOS工艺， 在经济的硅栅工艺中实现高性能高压MOSFET。 垂直DMOS工艺使器件可靠性高， 尤其适用于电信、安防和电源等复杂应用环境。 典型导通电阻为4.5Ω， 漏源电压为400V。 FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
Brand
Littelfuse/IXYS
Package
SOT-89
Stock
45
货期
现货
CPC3909CTRParameters
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | Littelfuse/IXYS |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
CPC3909CTR概述
是N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）， 有SOT-223和SOT-89两种封装。 采用专有第三代垂直DMOS工艺， 在经济的硅栅工艺中实现高性能高压MOSFET。 垂直DMOS工艺使器件可靠性高， 尤其适用于电信、安防和电源等复杂应用环境。 典型导通电阻为4.5Ω， 漏源电压为400V。 FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
CPC3909CTR特性
暂无产品特性。
CPC3909CTR应用领域
暂无应用领域。