CMUDM8005-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）主要参数为：漏极电流ID为0.66A， 漏源击穿电压VDSS为20V， 导通电阻RDON为260mΩ。 该器件适用于低功耗电源管理及信号切换应用， 具有良好的开关特性和稳定的电气性能。 适合用于小型电子设备、逻辑控制电路以及电池供电系统中的开关控制， 有助于提升电路的响应速度与能效表现。