CMU80R1K2
IC
TO-251
可供量大可议
CMU80R1K2
80R1K2是一款功率MOSFET， 采用了Cmos先进的超结技术， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术， 它将提供更高的效率。 这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势， 还具有低开关损耗的特点
品牌
Cmos
封装
TO-251
库存
24
货期
现货
CMU80R1K2参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
CMU80R1K2概述
80R1K2是一款功率MOSFET， 采用了Cmos先进的超结技术， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术， 它将提供更高的效率。 这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势， 还具有低开关损耗的特点
CMU80R1K2特性
暂无产品特性。
CMU80R1K2应用领域
暂无应用领域。