CMU50N10
IC
TO-251
可供量大可议
CMU50N10
50N10采用先进的沟槽技术和设计， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适合用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
品牌
Cmos
封装
TO-251
库存
70
货期
现货
CMU50N10参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
CMU50N10概述
50N10采用先进的沟槽技术和设计， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适合用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
CMU50N10特性
暂无产品特性。
CMU50N10应用领域
暂无应用领域。