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CMU4N80
IC

TO-251

可供量大可议

CMU4N80

4N80采用先进的沟槽技术和设计, 以提供出色的RDS(ON)。 该器件非常适合用于PWM、负载开关和通用应用。

品牌

Cmos

封装

TO-251

库存

80

货期

现货

CMU4N80参数

封装TO-251
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存80

CMU4N80概述

4N80采用先进的沟槽技术和设计, 以提供出色的RDS(ON)。 该器件非常适合用于PWM、负载开关和通用应用。

CMU4N80特性

暂无产品特性。

CMU4N80应用领域

暂无应用领域。

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