CMU3090M
IC
TO-251
可供量大可议
CMU3090M
3090M采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。 3090M符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩能力（EAS）测试， 且具备全面的功能可靠性认证
品牌
Cmos
封装
TO-251
库存
100
货期
现货
CMU3090M参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
CMU3090M概述
3090M采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。 3090M符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩能力（EAS）测试， 且具备全面的功能可靠性认证
CMU3090M特性
暂无产品特性。
CMU3090M应用领域
暂无应用领域。