CMU150N03
IC
TO-251
可供量大可议
CMU150N03
150N03采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
品牌
Cmos
封装
TO-251
库存
250
货期
现货
CMU150N03参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 250 |
CMU150N03概述
150N03采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
CMU150N03特性
暂无产品特性。
CMU150N03应用领域
暂无应用领域。