CMSSH-3S-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
CMSSH-3S-HXY
该肖特基二极管采用串联式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)为30V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为1V, 有助于降低功耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)仅为2μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压整流、信号解调、电源箝位及高频开关电路等场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
85
货期
现货
CMSSH-3S-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 85 |
CMSSH-3S-HXY概述
该肖特基二极管采用串联式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)为30V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为1V, 有助于降低功耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)仅为2μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压整流、信号解调、电源箝位及高频开关电路等场合。
CMSSH-3S-HXY特性
暂无产品特性。
CMSSH-3S-HXY应用领域
暂无应用领域。
