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CMSSH-3S-HXY
IC

SOT-323

可供量大可议

CMSSH-3S-HXY

该肖特基二极管采用串联式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)为30V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为1V, 有助于降低功耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)仅为2μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压整流、信号解调、电源箝位及高频开关电路等场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

85

货期

现货

CMSSH-3S-HXY参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存85

CMSSH-3S-HXY概述

该肖特基二极管采用串联式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)为30V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为1V, 有助于降低功耗; 在反向偏置时, 漏电流(IR)仅为2μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压整流、信号解调、电源箝位及高频开关电路等场合。

CMSSH-3S-HXY特性

暂无产品特性。

CMSSH-3S-HXY应用领域

暂无应用领域。

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