CMSH5-200HVTR13-HXY
IC
SMC
可供量大可议
CMSH5-200HVTR13-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向重复电压达200V。 其正向压降典型值为0.92V, 在25℃环境下的反向漏电流仅为20μA, 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变器等场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
197
货期
现货
CMSH5-200HVTR13-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 197 |
CMSH5-200HVTR13-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向重复电压达200V。 其正向压降典型值为0.92V, 在25℃环境下的反向漏电流仅为20μA, 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变器等场合。
CMSH5-200HVTR13-HXY特性
暂无产品特性。
CMSH5-200HVTR13-HXY应用领域
暂无应用领域。
