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CMSH5-200HVTR13-HXY
IC

SMC

可供量大可议

CMSH5-200HVTR13-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向重复电压达200V。 其正向压降典型值为0.92V, 在25℃环境下的反向漏电流仅为20μA, 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变器等场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

197

货期

现货

CMSH5-200HVTR13-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存197

CMSH5-200HVTR13-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向重复电压达200V。 其正向压降典型值为0.92V, 在25℃环境下的反向漏电流仅为20μA, 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变器等场合。

CMSH5-200HVTR13-HXY特性

暂无产品特性。

CMSH5-200HVTR13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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