CMSH3-60MTR13-HXY
IC
SMB
可供量大可议
CMSH3-60MTR13-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为500μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 具备良好的瞬态耐受能力。 该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 凭借肖特基势垒特性, 在中低电压系统中展现出较快的开关响应与较低的能量损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
170
货期
现货
CMSH3-60MTR13-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
CMSH3-60MTR13-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为500μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 具备良好的瞬态耐受能力。 该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 凭借肖特基势垒特性, 在中低电压系统中展现出较快的开关响应与较低的能量损耗。
CMSH3-60MTR13-HXY特性
暂无产品特性。
CMSH3-60MTR13-HXY应用领域
暂无应用领域。
