CMSH3-100MATR13-HXY
IC
SMA
可供量大可议
CMSH3-100MATR13-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于开关电源、适配器、便携设备及高频整流等电路场合, 有助于提升系统效率与运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
195
货期
现货
CMSH3-100MATR13-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 195 |
CMSH3-100MATR13-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于开关电源、适配器、便携设备及高频整流等电路场合, 有助于提升系统效率与运行稳定性。
CMSH3-100MATR13-HXY特性
暂无产品特性。
CMSH3-100MATR13-HXY应用领域
暂无应用领域。
