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CMSH3-100MATR13-HXY
IC

SMA

可供量大可议

CMSH3-100MATR13-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于开关电源、适配器、便携设备及高频整流等电路场合, 有助于提升系统效率与运行稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

195

货期

现货

CMSH3-100MATR13-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存195

CMSH3-100MATR13-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于开关电源、适配器、便携设备及高频整流等电路场合, 有助于提升系统效率与运行稳定性。

CMSH3-100MATR13-HXY特性

暂无产品特性。

CMSH3-100MATR13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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