CMSH2-40TR13-HXY
IC
SMB
可供量大可议
CMSH2-40TR13-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护及高频开关等对效率和瞬态耐受能力有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
185
货期
现货
CMSH2-40TR13-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
CMSH2-40TR13-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护及高频开关等对效率和瞬态耐受能力有要求的电子电路中。
CMSH2-40TR13-HXY特性
暂无产品特性。
CMSH2-40TR13-HXY应用领域
暂无应用领域。
