CMSH1-60MTR13-HXY
IC
SMA
可供量大可议
CMSH1-60MTR13-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)为500μA, 适用于对能效有一定要求的电路环境。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 兼顾效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
175
货期
现货
CMSH1-60MTR13-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 175 |
CMSH1-60MTR13-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)为500μA, 适用于对能效有一定要求的电路环境。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 兼顾效率与可靠性。
CMSH1-60MTR13-HXY特性
暂无产品特性。
CMSH1-60MTR13-HXY应用领域
暂无应用领域。
