CMSC80P02B
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CMSC80P02B
CMSC80P02B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
Cmos
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
5
货期
现货
CMSC80P02B参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品型号 | CMSC80P02B |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 7.4e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:20V 电流:80A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
CMSC80P02B概述
CMSC80P02B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
CMSC80P02B特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
CMSC80P02B应用领域
- DC
- DC降压转换器中的高端开关
- 笔记本电脑电池电源管理
- 笔记本电脑中的负载开关